( 208) # 22Б2208
Автор(ы): Muller B., Henzler M.
Заглавие: Сравнение дифракции отраженных электронов высокой и низкой энергии с помощью оборудования высокого разрешения
Оригинальное заглавие: Comparison of reflection high-energy electron diffraction and lowenergy electron diffraction using high-resolution instrumentation
Язык: Англ.
Источник: Surface Sci. 1-3, 1997, т.389, стр.338-348
Ключевые слова: электроны; дифракция

Реферат: Предложено оборудование высокого разрешения с энергетич. фильтром для метода дифракции электронов высокой энергии (RHEED), устраняющее его недостатки в сравнении с дифракцией электронов низкой энергии (LEED), состоящие в трудности исследования морфологии и дефектной структуры из-за наличия неупругого рассеяния в методе RHEED. Интенсивность упруго рассеянного пучка, близкого к зеркально отраженному, измерена для различных углов падения параллельно перпендикулярно затененному краю. Профили, полученные в последнем случае, использовали для получения профилей с передачей постоянного момента перпендикулярно ПВ, соотв-щих профилю LEED со сверхвысоким разрешением. Морфология ПВ успешно охарактеризована этими профилями на основе кинематич. приближения аналогично LEED. Пригодность данной процедуры показана на примере гомоэпитаксии на Si(111) путем сравнения результатов с данными LEED и сканирующей туннельной микроскопии