( 227) # 22Б2227
Автор(ы): Kobayashi S.
Заглавие: Математическое моделирование образования дефектов роста в кремнии, выращенном по Чохральскому
Оригинальное заглавие: Mathematical modelling of grown-in defects formation in Czochralski silicon
Язык: Англ.
Источник: J. Cryst. Growth 3-4, 1997, т.180, стр.334-342
Ключевые слова: кристаллы рост; кристаллы дефекты; кремний; моделирование математическое

Реферат: Проанализирована преципитация кислорода в кристаллах Si, выращенных по Чохральскому со скоростью V 0,5-1,0 мм/мин при переключении V между крайними значениями. Результаты вычислений на основе ранее предложенной модели (Kobayashi S. "J. Crystal Growth", 1977, 174, 163) сопоставлены с данными по дефектам роста, полученным сканир. томографией. Данные по плотности преципитатов показывают, что их зарождение осуществляется при 1525-1550 К. При переключении V вычисленная N уменьшается от ПРИБЛ=5*10{8} до ПРИБЛ=2*10{8} см{-3}, а средний радиус R увеличивается от ПРИБЛ=55 до ПРИБЛ=75 нм. Поведение преципитатов кач-венно подобно поведению дефектов роста, однако наблюдаются колич-венные расхождения между вычислениями и наблюдениями. Обсужден процесс образования ростовых дефектов