( 229) # 22Б2229
Автор(ы): Tanaka M., Hasebe M., Saito N.
Заглавие: Изменение характера распределения температуры поверхности расплава при выращивании кремния по Чохральскому
Оригинальное заглавие: Pattern transition of temperature distribution at Czochralski silicon melt surface
Язык: Англ.
Источник: J. Cryst. Growth 3-4, 1997, т.180, стр.487-496
Ключевые слова: кристаллы рост; кремний; расплавы; моделирование математическое

Реферат: Температуру ПВ расплава при выращивании Si по Чохральскому исследовали с помощью камеры на основе прибора с зарядовой связью (CCD). Энергию теплового излучения с ПВ расплава пересчитывали в т-ру методом калибровки по черному телу и записывали с помощью видеокассетного магнитофона в виде двумерных цветных изображений. Эксперим. результаты в отсутствие кристалла выявили возможность наличия 4 картин распределения т-ры ПВ расплава в зависимости от скорости вращения тигля: асимм. картина при малых скоростях вращения омега, многоструйная или островковая при средних омега, и ячеистая при высоких омега. Для предсказания движения расплава приведено трехмерное численное моделирование в зависимости от времени. Получена кач-венная модель для перехода распределений т-ры и потока расплава Si