( 250) # 22Б2250
Автор(ы): Cachet H., Froment M., Maurin G.
Заглавие: Послойный рост селенида кадмия химическим осаждением
Оригинальное заглавие: Layer by layer growth of chemically deposited cadmium selenide
Язык: Англ.
Источник: J. Electroanal. Chem. 1-2, 1996, т.406, стр.239-242
Ключевые слова: кристаллы рост; пленки

Реферат: Пленки CdSe с толщиной h, эквив. массе 3,0-6,0 мг/см{2}, осаждали на углеродных мембранах, усиленных Au сеткой, из водных р-ров CdSO[4] (I), Na[2]SeO[3] (II) и нитрилотриацетата (III) с pHПРИБЛ=10 при т-ре 40°C со скоростью V, эквив. изменению массы 2-5*10{-6} мг/с*см{2}, при отношении R=III/I 1,72-2,2. Критич. R[c] (1,88) образования коллоидного р-ра Cd(OH)[2] рассчитывали по (Gorer S., Hodes G. "J. Phys. Chem.", 1994, 98, 5338). Массу ПЛ контролировали с помощью микровесов, структуру исследовали методом просвечивающей электронной микроскопии. Рост I при любых R идет послойно. Однако при R>R[c] h[1] каждого единичного слоя эквив. 1 ячейке решетки, образующейся по ион-ионному механизму, а при R>R[c] h[1] равна размеру коллоидной частицы, образовавшейся в р-ре, и слой I образуется путем агломерации частиц. Осцилляции V не перекрываются, т. е. скорость зародышеобразования достаточно велика для полного заполнения слоя до следующего акта зародышеобразования