( 251) # 22Б2251
Автор(ы): Smilgies D.-M., Feidenhans'l R., Scherb G., Kolb D. M., Kazimirov A., Zegenhagen J.
Заглавие: Образование наклоненных кластеров в меди, электрохимически осажденной на n-GaAs(001)
Оригинальное заглавие: Formation of tilted clusters in the electrochemical deposition of copper on n-GaAs(001)
Язык: Англ.
Источник: Surface Sci. 1, 1996, т.367, стр.40-44
Ключевые слова: кристаллы рост; медь; кластеры; электроосаждение; галлий арсенид

Реферат: In situ рентгеновской дифракцией (синхротронный источник) изучены эпитаксиальные свойства кластеров Cu, электрохимически осажденной на подложки n-GaAs(001). Осажденная медь образует кластеры, изотропно наклоненные на ЭКВИВ6°. Базальные плоскости (001) кластеров Cu и их направление <100> совмещены с направлениями <100> подложки. Наклон интерпретирован как новый механизм рельефа напряжений в эпитаксиальной системе с большим рассогласованием решетки (10%) и сильной шероховатостью поверхности