Автор(ы): Du Q., Alperin J., Wang W. I.
Заглавие: Получение методом молекулярно-лучевой эпитаксии GaInSbBi для использования в качестве инфракрасных детекторов
Оригинальное заглавие: Molecular beam epitaxial growth of GaInSbBi for infrared detector applications
Язык: Англ.
Источник: J. Cryst. Growth 2, 1997, т.175-176, стр.849-852
Ключевые слова: кристаллы рост; эпитаксия; детекторы; конференции
