Автор(ы): Roslund J. H., Zsebok O., Swenson G., Andersson T. G.
Заглавие: Рост методом молекулярно-лучевой эпитаксии Ga[1-x]In[x]Sb на подложках GaAs
Оригинальное заглавие: Molecular-beam-epitaxial growth of Ga[1-x]In[x]Sb on GaAs substrates
Язык: Англ.
Источник: J. Cryst. Growth 2, 1997, т.175-176, стр.883-887
Ключевые слова: кристаллы рост; пленки; галлий арсенид
