( 395) # 22Б2395
Автор(ы): Дзамукашвили Г. Э., Качлишвили З. С., Метревели Н. К.
Оригинальное заглавие: Отрицательная динамическая дифференциальная проводимость на циклотронной частоте в Ga[1-x]Al[x]As в условиях баллистического междолинного переноса электронов
Язык: Рус.
Источник: Физ. и техн. полупровод. 2, 1998, т.32, стр.164-170
Ключевые слова: электропроводность; электронный перенос

Реферат: Теоретически показано, что в определенных условиях возможно создание мазера на эффекте циклотронного резонанса на основе материалов типа n-Ga[1-x]Al[x]As. Рассматриваются низкие температуры и сильные скрещенные (EПЕРПЕНH) поля, в которых электроны в нижней (легкой) долине зоны проводимости баллистическим образом пролетают ее, разогреваясь до энергии начала междолинного рассеяния эпсилон[0]. Исследования проводились для состава твердого раствора 0