( 416) # 22Б2416
Автор(ы): Мурзин С. С.
Оригинальное заглавие: Квантовые поправки к проводимости пленок n-GaAs в сильном магнитном поле
Язык: Рус.
Источник: Письма в ЖЭТФ 3-4, 1998, т.67, стр.201-206
Ключевые слова: электропроводность; галлий арсенид

Реферат: Экспериментально изучена проводимость пленок легированного n-GaAs в зависимости от магнитного поля и температуры в сильных магнитных полях вплоть до квантового предела (hомега[c]=E[F]). Холловская проводимость G[xy] практически не зависит от температуры T до тех пор, пока поперечная проводимость G[xx] достаточно велика по сравнению с e{2}/h. В сильных полях, когда G[xx] становится сравнимо с e{2}/h, G[xy] начинает зависеть от Т. Разность проводимостей G[xx] при двух температурах 4.2 и 0.35 К лишь слабо зависит от магнитного поля H в широком диапазоне магнитных полей, в то время как G[xx] сильно меняются. Результаты объясняются квантовыми поправками к проводимости за счет электрон-электронного взаимодействия в диффузионном канале. Обсуждается возможность квантования холловской проводимости за счет электрон-электронного взаимодействия



Hosted by uCoz