( 433) # 22Б2433
Автор(ы): Андронов А. Н., Баграев Н. Т., Клячкин Л. Е., Робозеров С. В.
Оригинальное заглавие: Сверхмелкие p{+}-n-переходы в кремнии (100): электронно-лучевая диагностика приповерхностной области
Язык: Рус.
Источник: Физ. и техн. полупровод. 2, 1998, т.32, стр.137-144
Ключевые слова: кремний

Реферат: Электронно-лучевая диагностика зондирования приповерхностной области электронами малых и средних энергий используется для анализа сверхмелких p{+}-n-переходов в кремнии (100), которые создаются в условиях неравновесной примесной диффузии. Исследуется энергетическая зависимость коэффициента радиационной проводимости, а также его распределение по площади p{+}-n-перехода. Данная методика позволяет определить распределение по глубине кристалла вероятности разделения электронно-дырочных пар полем p-n-перехода, которое, как показывают результаты эксперимента, является различным для p{+}-n-переходов, полученных при доминировании kick-out и диссоциативного вакансионного механизмов примесной диффузии, лежащих в основе получения сверхмелких p-n-переходов. Кроме того, впервые представляются результаты исследований распределения вторичных точечных центров, которые образуются вблизи границы сверхмелкого диффузионного профиля и в значительной степени влияют на транспорт неравновесных носителей. Полученные данные демонстрируют возможности повышения эффективности повышения фотоприемников, детекторов альфа-частиц и солнечных батарей, создаваемых на основе сверхмелких p-n-переходов