( 442) # 22Б2442
Автор(ы): Васильев Ю. Б., Сучалкин С. Д., Иванов С. В., Мельцер Б. Я., Цацульников А. Ф., Неклюдов П. В., Копьев П. С.
Оригинальное заглавие: Влияние качества гетерограниц на спектры циклотронного резонанса гетероструктур InAs/(AlGa)Sb
Язык: Рус.
Источник: Физ. и техн. полупровод. 10, 1997, т.31, стр.1246-1248
Ключевые слова: циклотронный резонанс; гетероструктуры

Реферат: Проведены измерения циклотронного резонанса в одиночных квантовых ямах InAs-AlGaSb II типа, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии при различных условиях роста. Обнаружены квантовые осцилляции в спектрах циклотронного поглощения в образцах InAs-GaSb, которые объясняются рассеянием на короткодействующем потенциале, обусловленном шероховатостью гетерограницы. Предлагается новый метод оценки качества гетерограницы, основанный на измерении спектров циклотронного резонанса