( 451) # 22Б2451
Автор(ы): Li J. Q., Lam C. C., Feng J., Hung K. C.
Заглавие: Влияние допирования In на Hg[1-x]In[x]Ba[2]CaCu[2]O[6+дельта]
Оригинальное заглавие: Effects of In doping in Hg[1-x]In[x]Ba[2]CaCu[2]O[6+дельта]
Язык: Англ.
Источник: Supercond. Sci. and Technol. 2, 1998, т.11, стр.217-222
Ключевые слова: индий; сверхпроводники

Реферат: Для получения поликристаллических образцов Hg[1-x]In[x]Ba[1,75]CaCu[2,25]O[6+дельта] x=0, 0,1, 0,2, 0,4, 0,5 сначала приготовили прекурсор из BaO, CaO и CuO, взятых в соотношении по металлам 1,75:1:2,25, который затем смешали с HgO и In[2]O[3]. Отжиг провели в запаянных кварцевых ампулах при 830°C 6 ч, окислительный отжиг провели в токе O[2] при 230°C 10 ч. По данным РФА допирование In приводит к небольшому уменьшению параметра с тетрагональной элементарной ячейки: для x 0 a 3,858, c 12,741 A, для x 0,1, a 3,855, c 12,702 A. Исследования с помощью сканирующей электронной микроскопии и энергодисперсионного анализатора свидетельствуют о замещении индием ртути в Hg[1-x]In[x]Ba[1,75]CaCu[2,25]O[6+дельта] не более, чем 5 ат.%. Допирование индием приводит к величению содержания фазы типа Hg-1212 и снижению количества примесной фазы HgCaO[2], при этом T[c] полученных снижается до 120 К. По данным термоаналитических исследований стабильность допированных образцов возрастает