( 525) # 22Б2525
Автор(ы): Бахтина Н. В., Машин А. И., Павлов А. П., Питиримова Е. А.
Оригинальное заглавие: Влияние ионного облучения пленок аморфного кремния на их кристаллизацию
Язык: Рус.
Источник: Физ. и техн. полупровод. 3, 1998, т.32, стр.349-352
Ключевые слова: кремний; кристаллизация

Реферат: Методами трансмиссионной электронной микроскопии и электронографии исследовано изменение структуры имплантированных ионами инертных газов и химически активной примеси аморфных пленок Si. Показано, что пленки Si, облученные ионами Ar{+} и P{+} с дозами выше 7*10{15} см{-2} не кристаллизуются вплоть до температуры 680°C, что связано с радиационным образованием термостабильных вакансионных комплексов. Установлено, что кристаллизация пленок Si после внедрения меньших доз ионов P{+} приводит к ускорению роста зерен в них по сравнению с необлученными пленками. Обсуждается модель механизма влияния ионного облучения на кристаллизацию пленок Si



Hosted by uCoz