( 580) # 22Б2580
Автор(ы): Яновский А. С., Коломоец С. В.
Заглавие: Моделирование вакансионного дефекта на поверхности Si(100)
Язык: Рус.
Источник: Поверхность: Рентген., синхротрон. и нейтрон. исслед. 11, 1997, стр.36-43
Ключевые слова: дефекты; кремний; моделирование математическое

Реферат: Рассчитаны конфигурации вакансионного дефекта на поверхности Si(100)-(2*4). Доказана возможность существования на поверхности Si(100) устойчивых квазиравновесных конфигураций, содержащих уединенные атомы с одной и двумя оборванными орбиталями, обладающими высокой адсорбц. активностью