( 612) # 22Б2612
Автор(ы): Ильин А. И., Андреева А. В., Толкунов Б. Н.
Оригинальное заглавие: Микроструктура и электросопротивление субмикронных пленок висмута
Язык: Рус.
Источник: Поверхность: Рентген., синхротрон. и нейтрон. исслед. 11, 1997, стр.29-35
Ключевые слова: висмут; пленки; микроструктура; электрическое сопротивление; слюда; кремний диоксид

Реферат: Методом термич. испарения на слюду, SiO[2] и Si[3]N[4] в вакууме 10{-6} Па получены ПЛ висмута толщиной 50 нм с длиной свободного пробега электронов до 1,5 мкм. Установлено, что образование структуры в ПЛ висмута происходит независимо от типа подложки. На основании сравнения эксперим. данных с теоретич. расчетами кристаллографич. параметров и атомного моделирования границ в висмуте показано, что в структуре присутствует значит. доля низкоэнергетич. границ совпадения с осью разориентировки, совпадающей с тригональной осью висмута. Обнаружена смена проводимости от активац. к металлич. при низких т-рах (<100 K)