( 614) # 22Б2614
Автор(ы): Нефедов А. А., Фанченко С. С., Шипов И. А., Бартоломеус Л., Габузян Т., Мориц В.
Оригинальное заглавие: Исследование структуры Pt/LaF[3]/Si поверхностно-чувствительными методами рассеяния рентгеновских лучей
Язык: Рус.
Источник: Поверхность: Рентген., синхротрон. и нейтрон. исслед. 3, 1998, стр.27-31
Ключевые слова: гетероструктуры; металлы; диэлектрики; полупроводники; платина; кремний; рентгеновские лучи; рассеяние

Реферат: Структура металл/диэлектрик/полупроводник с тв. электролитом LaF[3] в кач-ве подзатворного диэлектрика является перспективным сенсором для определения конц-ии в атмосфере таких токсичных газов как фтор или гидрид фтора. В работе приведены результаты исследования структурных х-к для серии образцов Pt/LaF[3]/Si(111) с различными толщинами ПЛ платины (5-80 нм) и трифторида лантана (5-250 нм). Проведены эксперименты по рентгеновской рефлектометрии и асимптотич. брэгговской дифракции для отражения Si(111). По зависимости интенсивности когерентного рассеяния определено, что граница раздела LaF[3]/Si является достаточно резкой (5,5±1 A). Обнаружено заметное уширение главного пика, к-рое объясняется малоугловым рассеянием на флуктуациях толщины платиновой ПЛ, и установлено, что данная ПЛ имеет островковую структуру (для образцов с толщиной ПЛ платины около 40 нм характерный масштаб неоднородности составлял также 40 нм). Трехфазность границы раздела газ/Pt/LaF[3] также подтверждается наличием мощной диффузной компоненты при поперечном сканировании рефлекса в условиях полного внешнего отражения