( 640) # 22Б2640
Автор(ы): Заварицкая Т. Н., Караванский В. А., Квит А. В., Мельник Н. Н.
Оригинальное заглавие: Исследования структуры пористого фосфида галлия
Язык: Рус.
Источник: Физ. и техн. полупровод. 2, 1998, т.32, стр.235-240
Ключевые слова: галлий фосфид; пористость; пористые материалы

Реферат: Впервые получены свободные пленки пористого GaP и исследована их микроструктура методами просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) и комбинационного рассеяния света (КРС). Результаты ПЭМ показали, что микроструктура пленок пористого GaP имеет сложное пространственное строение, но при этом локальная кристаллографическая ориентация сохраняется и соответствует исходной подложке. В спектре КРС обнаружены эффекты сужения полуширины пика LO-колебаний с одновременным сдвигом в низкочастотную область, которые могут быть удовлетворительно объяснены изменением плазмон-фононного взаимодействия в результате уменьшения концентрации носителей. Обнаружен также сдвиг частоты поверхностных колебаний пористого GaP в зависимости от локальных условий формирования пор. Показано, что принципиально возможно получить пористые слои без заметного покрытия поверхности пор окислами или другими продуктами электрохимической реакции