( 701) # 22Б2701
Автор(ы): Persson B. N. J., Avouris Ph.
Заглавие: Разрыв локальных связей под действием возбуждения, индуцированного острием сканирующего туннельного микроскопа: роль температуры
Оригинальное заглавие: Local bond breaking via STM-induced excitations: the role of temperature
Язык: Англ.
Источник: Surface Sci. 1-3, 1997, т.390, стр.45-54
Ключевые слова: возбуждение; диссоциация; связи химические; микроскопы

Реферат: Обсуждается влияние т-ры на разрыв локальных связей в результате мультиплетного колебательного возбуждения, индуцированного неупругим туннелированием в сканирующем туннельном микроскопе. Общие выводы делаются на примере изучения ДС Н с ПВ H-Si (111) и H-Si (100). Показано, что при уменьшении т-ры подложки увеличивается время релаксации колебательной энергии H-Si, в результате чего эффективная т-ра адсорбата и его ДС растут. Понижение т-ры подложки также уменьшает скорость дефазировки моды H-Si, что проявляется в уменьшении ширины линии ИК-поглощения. Это увеличивает локализацию колебательной энергии и повышает вероятность десорбции