( 225) # 24Б2225
Автор(ы): Assaker R., Van den Bogaert N., Dupret F.
Заглавие: Моделирование роста во времени больших кристаллов кремния по методу Чохральского с использованием турбулентной модели конвекции расплава
Оригинальное заглавие: Time-dependent simulation of the growth of large silicon crystals by the Czochralski technique using a turbulent model for melt convection
Язык: Англ.
Источник: J. Cryst. Growth 3-4, 1997, т.180, стр.450-460
Ключевые слова: кристаллы рост; моделирование математическое; кремний

Реферат: Предложена модель квази-устойчивого и динамического состояния системы, учитывающая теплопередачу во всех составных частях системы (радиационные экраны, твердые детали, кристалл, расплав, поверхность раздела кристалл-расплав), непрерывность и баланс тепловых потоков на поверхностях раздела отдельных частей. При этом в подсистеме "кристалл-расплав" учитывались уравнения потока расплава. Численные примеры приведены для выращивания кристаллов диаметром 400 мм. Показано, что характер потоков сильно влияет на динамику системы, особенно для больших по размеру установок. Исследовано влияние переключения (из-за нестабильности работы нижнего нагревателя) режима потока на рост кристалла