( 229) # 24Б2229
Автор(ы): Dornberger E., Tomzig E., Seidl A., Schmitt S., Leister H.-J., Schmitt Ch., Muller G.
Заглавие: Термическое моделирование процесса роста кремния по Чохральскому по трем различным моделям и сравнение с экспериментальными результатами
Оригинальное заглавие: Thermal simulation of the Czochralski silicon growth process by three different models and comparison with experimental results
Язык: Англ.
Источник: J. Cryst. Growth 3-4, 1997, т.180, стр.461-467
Ключевые слова: кристаллы рост; моделирование; конференции

Реферат: В промышленной установке для вытягивания кристаллов с диаметром тигля 300 мм измерено распределение температур вдоль оси кристалла и в различных точках тепловой изоляции. Прослежено влияние особого теплового экрана вблизи растущего кристалла на распределение температур. Полученные эксперим. результаты сопоставлены с вычисленными по трем ранее описанным моделям и показано, что каждая из этих моделей позволяет получать т-рные профили в растущем кристалле и различных зонах установки и, следовательно, оптимизировать качество кристалла. Вместе с тем сделан вывод, что проблема конвекционного перемешивания расплава не решается удовлетворительно, особенно при больших объемах расплава