( 231) # 24Б2231
Автор(ы): Kakimoto K., Eguchi M., Ozoe H.
Заглавие: Использование неоднородного магнитного поля для выращивания кристаллов кремния
Оригинальное заглавие: Use of an inhomogeneous magnetic field for silicon crystal growth
Язык: Англ.
Источник: J. Cryst. Growth 3-4, 1997, т.180, стр.442-449
Ключевые слова: кристаллы рост; кремний; моделирование математическое

Реферат: Проведено численное моделирование тепло- и массопередачи при выращивании кристаллов из расплава в магнитном поле для трех видов неоднородного магнитного поля. Методом радиографии измерена траектория движения отдельной частицы трассера и установлено, что поток почти осесимметричен, а скорость частицы близка к 0.5 см/с. Это говорит о том, что магнитное поле снижает скорость потока в меньшей степени, чем по принятой модели. Прослежено влияние вида и силы магнитного поля на распределение концентрации кислорода в радиальном направлении на поверхности раздела. Неоднородное магнитное поле не подавляет горизонтальный поток в верхней части расплава, но позволяет гомогенизировать распределение кислорода в кристалле. Для одного вида магнитного поля экспериментальные результаты показали тенденцию, обратную полученной при моделировании