( 237) # 24Б2237
Автор(ы): Tsai Wen-Chou, Tseng Tseung-Yuen
Заглавие: Характеристика выращенных планарным магнетронным распылением тонких пленок оксида циркония, стабилизированного оксидом иттрия
Оригинальное заглавие: Characterization of yttria-stabilized zirconia thin films grown by planar magnetron sputtering
Язык: Англ.
Источник: Thin Solid Films 1, 1997, т.306, стр.86-91
Ключевые слова: кристаллы рост; пленки; цирконий диоксид

Реферат: Методами РСТА, электронной спектроскопии для химич. анализа, трансмиссионной электронной микроскопии изучены состав и структура ПЛ, выращенных на пластинах Si (100) при магнетронном распылении мишени (ZrO[2])[0.9](Y[2]O[3])[0.1]. Для изучения влияния условий взаимодействия плазмы с поверхностью ось потока плазмы располагали под различными углами к нормали подложки. Если поток плазмы был направлен параллельно подложке, ПЛ имела гладкую поверхность и ориентацию (200). При переходе к направлению перпендикулярно подложке ориентация зерен менялась на (111), а поверхность приобретала шероховатый вид. Поскольку применение ПЛ стабилизированного ZrO[2] перспективно для создания барьерных слоев между Si и ПЛ ВТСП, а также конденсаторов металл-оксид-полупроводник, изготовлены структуры с напыленными Al-электродами и измерены их электрич. характеристики. Показано, что ток утечки возрастает с переходом от напыления ZrO[2] параллельно подложке к напылению перпендикулярно подложке