( 289) # 24Б2289
Автор(ы): Kumar V., Prasad G. M., Chetal A. R., Chandra D.
Заглавие: Микротвердость и объемный модуль упругости бинарных тетраэдрических полупроводников
Оригинальное заглавие: Microhardness and bulk modulus of binary tetrahedral semiconductors
Язык: Англ.
Источник: J. Phys. and Chem. Solids 4, 1996, т.57, стр.503-506
Ключевые слова: полупроводники; твердость

Реферат: В рамках теории плазменных осцилляций твердых тел рассчитаны микротвердости и объемные модули упругости бинарных тетраэдрических полупроводников. Выведены новые соотношения между энергией плазмонов и этими параметрами. Рассчитанные по двум уравнениям значения микротвердостей и модулей упругости хорошо согласуются с экспериментальными и литературными данными. Отмечено, что для расчетов не требуются никакие экспериментальные данные, кроме энергии плазмонов. Это позволяет предсказывать параметры в случае неизвестных полупроводников, для которых отсутствуют экспериментальные температуры плавления, диэлектрические проницаемости или длины связей