( 324) # 24Б2324
Автор(ы): Lushchik A., Feldbach E., Kink R., Lushchik Ch., Kirm M., Martinson I.
Заглавие: Вторичные экситоны в кристаллах щелочных галогенидов
Оригинальное заглавие: Secondary excitons in alkali halide crystals
Язык: Англ.
Источник: Phys. Rev. B 9, 1996, т.53, стр.5379-5387
Ключевые слова: экситоны; галогениды; люминесценция

Реферат: Особенности размножения электронных возбуждений изучены для широкозонных кристаллов щелочных галогенидов, в которых сосуществуют самозахваченные экситоны, свободные и самозахваченные дырки. Разработаны люминесцентные методы для раздельного количественного исследования процессов формирования вторичных экситонов. С помощью синхротронного излучения (12-32 эВ) измерены спектры возбуждения триплетной (пи) и синглетной (сигма) эмиссий самозахваченных экситонов и примесной ЛМ для кристаллов чистых KI, KBr и легированных KI:Na, KI:Tl, KBr:I и KBr:Tl. Анализом отношения интенсивностей двух эмиссионных спектров разделены области формирования вторичных триплетных экситонов в KI (13-15 и 26,5-29 эВ) и в KBr (15-17 и 28-30 эВ). Экспериментально определены пороговые фотонные энергии образования вторичного возбуждения, 13,1 (KI) и 15,2 (KBr) эВ. Выявлен перенос энергии к примесным центрам с помощью вторичных триплетных экситонов в легированных кристаллах KI:Na и KBr:I