( 377) # 24Б2377
Автор(ы): Darwish S., Soliman H. S., Riad A. S.
Заглавие: Транспортные свойства ячеек n-CdS[0,5]Se[0,5]/p-InP с гетеропереходами
Оригинальное заглавие: Transport properties of n-CdS[0.5]Se[0.5]/p-InP heterojunction cells
Язык: Англ.
Источник: Thin Solid Films 2, 1995, т.259, стр.248-252
Ключевые слова: переноса процесс; диффузия; индий фосфид; электрические свойства

Реферат: Испарением n-CdS[0,5]Se[0,5] (I) в вакууме и осаждением на монокристалл InP синтезированы ячейки n-CdS[0,5]Se[0,5]/p-InP (II) и изучены зависимости их характеристик I-V от температуры и освещенности. Ячейки II обладают эффективностью конверсии 5% и напряжением разомкнутой цепи 0,78 В при освещенности 50 мВт*м{-2}. Сопротивление ПЛ I толщиной 400 нм порядка 10{-1} Ом*см, поэтому обеспечивается хороший электрический контакт между переходом и фронтальным Al-электродом. При низком напряжении ток в прямом направлении изменяется экспоненциально с напряжением. При повышении напряжения наблюдаются 2 различные области омической и лимитированной пространственным зарядом проводимости. При высоких уровнях напряжения обнаружен эффект Пуля-Френкеля