( 400) # 24Б2400
Автор(ы): Иванов П. А., Игнатьев К. И., Пантелеев В. Н., Самсонова Т. П.
Оригинальное заглавие: Глубокие поверхностные состояния на интерфейсе SiC с собственным термическим окислом
Язык: Рус.
Источник: Письма в ЖТФ 20, 1997, т.23, стр.55-60
Ключевые слова: кремний карбид

Реферат: На интерфейсе 6H-SiC с собственным термическим окислом обнаружены глубокие поверхностные состояния путем анализа C-V характеристик структур металл-окисел-полупроводник, измеренных при высокой температуре (600 К). Максимум плотности распределенных по энергиям состояний (D[tm]=2*10{12} cm{-2}*eV{-1}) приходится на энергию около 1,2 eV ниже дна зоны проводимости SiC. Выдвигается предположение о том, что выявленные состояния аналогичны по своей природе P[b]-центрам, наблюдаемым в системе SiO[2]/Si