( 401) # 24Б2401
Автор(ы): Jeong Y. K., Choi G. M.
Заглавие: Нестехиометрия и электропроводность CuO
Оригинальное заглавие: Nonstoichiometry and electrical conduction of CuO
Язык: Англ.
Источник: J. Phys. and Chem. Solids 1, 1996, т.57, стр.81-84
Ключевые слова: медь монооксид; электропроводность

Реферат: Измерениями электропроводности, термо-э.д.с. и изменений массы от комнатной температуры до 1000°C исследована нестехиометрия и дефектные свойства CuO. При низких температурах оксид является полупроводником p-типа с дефицитом металла (вакансии Cu). Образованию вакансий Cu благоприятствует понижение температуры спекания, что указывает на отрицательную энтельпию реакции образования дефектов. При 700-900°C нестехиометрия Cu[1-y]O достигает нескольких %%. Его проводимость обеспечивается перескоками носителем заряда с энергией активации 0,1 эВ. Определена ширина запрещенной зоны CuO при высоких температурах, равная 1,2 эВ