( 462) # 24Б2462
Автор(ы): Hirsch L. S., Yu Zhonghai, Buczkowski S. L., Myers T. H., Richards-babb M. R.
Заглавие: Использование атомарного водорода для очистки подложки и последующего роста полупроводников II-VI
Оригинальное заглавие: The use of atomic hydrogen for substrate cleaning for subsequent growth of II-VI semiconductors
Язык: Англ.
Источник: J. Electron. Mater. 6, 1997, т.26, стр.534-541
Ключевые слова: водород; полупроводники

Реферат: Показано, что атомарный водород особенно эффективен для приготовления подложек для последующего роста полупроводников - соединений II-VI путем молекулярно-пучковой эпитаксии. Обсуждается использование атомарного водорода для удаления оксидов c GaAs, предшествующего росту ZnSe и CdTe, и для низкот-рного удаления оксидов с CdTe HgCdTe. Для характеристики роста использованы данные дифракции электронов высоких энергий, ультрафиолетовой флюоресцентной микроскопии, интерференционной контрастной микроскопии и атомной силовой микроскопии