( 539) # 24Б2539
Автор(ы): Girault V., Plantier H., Devine R. A. B., Templier F.
Заглавие: Низкотемпературное окисление аморфного кремния с помощью плазмы
Оригинальное заглавие: Low temperature, plasma assisted oxidation of amorphous Si
Язык: Англ.
Источник: J. Non-Cryst. Solids, 1997, т.216, стр.55-64
Ключевые слова: окисление; кремний; плазма

Реферат: С использованием СВЧ-реактора с возбуждением электронным циклотронным резонансом в режиме постоянного тока через подложку проведено исследование окисления аморф. гидрированного кремния (a-Si:H) с помощью плазмы при низкой т-ре. Результаты исследования кинетики окисления a-Si:H сравнены с данными кинетики окисления крист. кремния. Проведено также сравнение физ. св-в полученных пленок SiO[2]. Данные ИКС и результаты хим. травления пленок SiO[2] показали, что эти пленки неоднородны и их св-ва отличаются от св-в SiO[2], полученного термич. окислением. Эти различия отнесены за счет различий в структуре, т. к. в пленках, полученных окислением a-Si:H с помощью плазмы углы связей Si-O-Si оказались меньше, чем углы этих связей в термич. SiO[2]. В образцах пленки, полученных после окисления a-Si:H, наблюдалась шероховатость поверхности, появление к-рой отнесено за счет выделения и нуклеации водорода в пленках