( 543) # 24Б2543
Автор(ы): Kim Hae-Yeol, Lee Ki-Young, Lee Jai-Young
Заглавие: Влияние степени разбавления водородом на кристаллизацию пленок гидрированного аморфного кремния, приготовленных методом химического осаждения из газовой фазы, усиленного плазмой
Оригинальное заглавие: The influence of hydrogen dilution ratio on the crystallization of hydrogenated amorphous silicon films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition
Язык: Англ.
Источник: Thin Solid Films 1-2, 1997, т.302, стр.17-24
Ключевые слова: кремний; водород

Реферат: С использованием просвечивающей электронной микроскопии, КР и ИКС с фурье-преобразованием исследовано влияние водорода на кристаллизацию пленок a-Si:H, приготовленных методом хим. осаждения из газ. фазы, усиленного плазмой, и отожженных для кристаллизации при т-ре 873 К. При отжиге пленок a-Si:H, осажденных при высоких степенях разбавления H[2]:SiH[4] (12:1), структурная неупорядоченность резко возрастает вскоре после выделения водорода, затем постепенно возрастает в течение 5 ч и затем уменьшается до тех пор, пока не начнется нуклеация. Большие размеры зерен полностью кристаллизованной пленки связаны с возрастанием неупорядоченности в течение отжига. Оно не наблюдалось для образцов со степенью разбавления (2:1) со смесью образующихся связей SiH[2] и SiH. Найдено, что водород прямо не влияет на образование центров кристаллизации в пленках a-Si:H, т. к. большая часть водорода выделилась в течение 10 мин. при т-ре 873 К, что значительно короче, чем инкубац. период, равный 15 ч. На размер зерен полностью кристаллизованной пленки влияют изменения в структурной неупорядоченности, к-рая сильно связана с х-ками образования связи кремний-водород в осажденных пленках a-Si:H. Библ. 33