( 579) # 24Б2579
Автор(ы): Tanaka Y., Ishiyama K., Ichimiya A.
Заглавие: Исследование термического распада островков кремния и исчезновения кратеров на поверхности кремния методом сканирующей туннельной микроскопии
Оригинальное заглавие: Thermal decay of silicon islands and craters on silicon surfaces by scanning tunneling microscopy
Язык: Англ.
Источник: Surface Sci., 1996, т.357-358, стр.840-843
Ключевые слова: кремний; поверхности; микроскопия сканирующая туннельная

Реферат: Процесс распада изолированных островков и затягивания изолированных кратеров на поверхности Si(111)(7*7) исследован при различных температурах методом сканирующей туннельной микроскопии. Скорость распада островков в пять раз превышает скорость затягивания кратеров


Заработать на своем сайте

РЕФЕРАТЫ

Hosted by uCoz