( 580) # 24Б2580
Автор(ы): Sakurai M., Thirstrup C., Nakayama T., Aono M.
Заглавие: Локальная модификация завершающихся водородом поверхностей кремния с помощью чистого и покрытого водородом острия сканирующего туннельного микроскопа
Оригинальное заглавие: Local modification of hydrogen-terminated silicon surfaces by clean and hydrogen-covered STM tips
Язык: Англ.
Источник: Surface Sci. 1-3, 1997, т.386, стр.154-160
Ключевые слова: модифицирование; кремний; поверхности; микроскопы

Реферат: Исследованы перенос атомов Н с острия сканирующего туннельного микроскопа на ПВ Si и перераспределение атомов H и Si на этих ПВ. При локальной "экстракции" атомов (300 К) из ПВ Si(001)-(3*1)-H, состоящей из рядов моно- и дигидрида кремния, дигидридные ряды частично разрушаются и появляются новые моногидридные ряды. В случае нанесения атомов H на ПВ Si(001)-(2*1)-H, образованную рядами моногидрида Si, с покрытого водородом острия при 450 К локально формируются дигидридные ряды. При нагревании такой ПВ до 650 К атомы H медленно термически испаряются с возникновением на ПВ вакансий атомов H. Последние могут быть локально заселены атомами H с покрытого водородом острия микроскопа при 650 К