Автор(ы): Fujimura S., Ishikawa K., Ogawa H.
Заглавие: Исследование процесса роста нативного оксида на атомарно-ровной завершающейся водородом поверхности (111) Si в чистой воде методом отражательно-абсорбционной ИК-фурье-спектроскопии
Оригинальное заглавие: Analysis of native oxide growth process on an atomically flattened and hydrogen terminated Si (111) surface in pure water using Fourier transformed infrared reflection absorption spectroscopy
Язык: Англ.
Источник: J. Vac. Sci. and Technol. A 1, 1998, т.16, стр.375-381
Ключевые слова: кремний диоксид; кремний; поверхности; спектроскопия ИК
