( 590) # 24Б2590
Автор(ы): Johansson L. I., Owman F., Martensson P.
Заглавие: Поверхностные состояния на поверхности (0001)-(РАДИКАЛ(3)*РАДИКАЛ(3)) SiC
Оригинальное заглавие: Surface state on the SiC(0001)-(РАДИКАЛ(3)*РАДИКАЛ(3)) surface
Язык: Англ.
Источник: Surface Sci. 1-3, 1996, т.360, стр.L478-L482
Ключевые слова: кремний карбид; поверхности; поверхностные свойства

Реферат: Методом измерения фотоэмиссии с угловым разрешением изучены поверхн. состояния на ПВ 6Н-SiC(0001)-(РАДИКАЛ(3)*РАДИКАЛ(3)). Для политипов 6Н и 4Н получены по существу идентичные результаты. Наблюдается полоса поверхностных состояний шириной ПРИБЛ=0,2 эВ с полупроводниковой заселенностью, расположенная на ПРИБЛ=1,0 эВ выше максимума валентной зоны. Сделан вывод, для описания электронной структуры ПВ SiC(0001) необходим учет корреляционных эффектов



Hosted by uCoz