( 602) # 24Б2602
Автор(ы): Mori T., Ohwaki T., Taga Y., Shibata N., Koike M., Manabe K.
Заглавие: Изменение состава поверхности GaN примесным легированием
Оригинальное заглавие: Changes in surface composition of GaN by impurity doping
Язык: Англ.
Источник: Thin Solid Films 1-2, 1996, т.287, стр.184-187
Ключевые слова: поверхности; легирование

Реферат: Методами оже-электронной и рентгеноэлектронной спектроскопии изучены изменения состава ПВ легированных ПЛ p- и n-GaN толщиной 500 нм (в кач-ве легирующих добавок использовали Mg и Si, соответственно). ПВ пленок p-GaN обогащается галлием, а ПВ пленок n-GaN - азотом по сравнению с нелегированными ПЛ. При учете толщины легированного слоя данные обоих методов согласуются между собой. Полученные результаты обсуждены на основе энергий образования естественных дефектов в GaN p- и n-типов