( 603) # 24Б2603
Автор(ы): Pfisfer M., Johnson M. B., Alvarado S. F., Salemink H. W. M., Marti U., Martin D., Marier-Genoud F., Reinhart F. K.
Заглавие: Получение методом сканирующей туннельной микроскопии изображений поверхностных и подповерхностных атомов индия в [сплаве] InGaAs
Оригинальное заглавие: Surface and subsurface imaging of indium in InGaAs by scanning tunneling microscopy
Язык: Англ.
Источник: Appl. Surface Sci., 1996, т.104-105, стр.516-521
Ключевые слова: индий; сплавы; микроскопия

Реферат: Сканирующая туннельная микроскопия (СТМ) поперечного скола (110) сплава In[x]Ga[1-x]As демонстрирует распределение In в поверхностном и первом подповерхностном слоях в условиях сверхвысокого вакуума. Атомы In видны на изображениях как при отрицательном напряжении на игле (заполненные состояния), так и при положительном (свободные состояния). Объясняется механизм формирования контраста изображения в СТМ. Изучено встраивание In в процессе роста квантовых нитей на неплоских подложках.



Hosted by uCoz