Автор(ы): Izumi T., Nishiwaki H., Tambo T., Tatsuyama C.
Заглавие: Выращивание пленок Ga-Se на поверхности (001)GaAs при высокой температуре с использованием термического испарения GaSe
Оригинальное заглавие: Ga-Se films grown on a GaAs(001) surface at high temperature using a thermal evaporation of GaSe
Язык: Англ.
Источник: Appl. Surface Sci., 1996, т.104-105, стр.570-574
Ключевые слова: пленки; галлий; селен; галлий арсенид; поверхности; испарение
