( 641) # 24Б2641
Автор(ы): Lew A. Y., Yan C. H., Tu C. W., Yu E. T.
Заглавие: Исследование межфазных поверхностей гетероструктур арсенид/фосфид методом сканирующей туннельной микроскопии
Оригинальное заглавие: Characterization of arsenide/phosphide heterostructure interfaces by scanning tunneling microscopy
Язык: Англ.
Источник: Appl. Surface Sci., 1996, т.104-105, стр.522-528
Ключевые слова: поверхности раздела; гетероструктуры; арсениды; фосфиды; микроскопия сканирующая туннельная

Реферат: Поперечные сколы гетероструктур из арсенида/фосфида, полученных молекулярно-лучевой эпитаксией, исследованы методом сканирующей туннельной микроскопии (СТМ). Рост гетероструктуры прерывали после наращивания каждых 20 нм потоком P[2]. Изображения образца, выращенного при 550°C, показывают, что толщина прослойки фосфора составляет 3 нм. При прерывании роста фосфор диффундирует в предыдущий слой, а не в нанесенный впоследствии. В аналогичном образце, полученном при 450°C, прослойки фосфора тоньше, а количество встроенного фосфора меньше. Данные СТМ согласуются с результатами, полученными методами дифракции рентгеновских лучей и дифракции отраженных электронов высокой энергии