( 772) # 24Б2772
Автор(ы): Yang W., Dohnalek Z., Choyke W. J., Yates J. T. (Jr)
Заглавие: Влияние поверхностных дефектов на хемосорбцию хлора на поверхности (100)-(2*1) Si
Оригинальное заглавие: Influence of surface defects on chlorine chemisorption on Si (100)-(2*1)
Язык: Англ.
Источник: Surface Sci. 1-3, 1997, т.392, стр.8-16
Ключевые слова: хемосорбция; хлор; кремний; дефекты

Реферат: Изучено влияние поверхностных дефектов, образующихся под действием пучка ионов Ar{+} на ПВ (100)-(2*1) Si, на хемосорбцию Cl. Методом измерения углового распределения электронно-стимулированной ДС ионов показано, что имеют место различные типы связей Cl на дефектных центрах ПВ. На упорядоченной ПВ (100) Si наблюдаются только концевые соединения Si-Cl (они дают четыре пучка Cl{+}, испускаемых в нормальном направлении). На неупорядоченной ПВ (100) Si при т-ре 120 К наблюдается дополнительный поток ионов Cl{+} в нормальном направлении, связанный с соединениями Cl на мостиковых центрах, хемосорбированными внутри вакансионных дефектов димеров. При изучении термоДС SiCl[2] с неупорядоченной ПВ наблюдается новый низкотемпературный путь ДС, указывающий на то, что дефектные центры усиливают прилипание к поверхности