( 269) # 22Б2269
Автор(ы): Lu W., Xu W. L., Xue C.
Заглавие: Влияние локализации на частоту примесных локальных мод в полупроводнике
Оригинальное заглавие: Localization effect on the frequency of impurity local modes in a semiconductor
Язык: Англ.
Источник: J. Phys. and Chem. Solids 5, 1996, т.57, стр.643-645
Ключевые слова: полупроводники

Реферат: Расчетами локальной плотности состояний примеси и окружающих ее атомов в полупроводнике получено эмпирическое соотношение между локализацией примесных локальных мод и фактором дефекта массы. На основе этого соотношения выполнен расчет частоты локальной моды с помощью модели дефекта массы, включающей эффект локализации. Достигнуто хорошее согласие между теоретическими и экспериментальными результатами