( 427) # 22Б2427
Автор(ы): Матвеев О. А., Терентьев А. И.
Оригинальное заглавие: Самокомпенсация в CdTe в условиях фазового равновесия кристалл-пар кадмия (теллура)
Язык: Рус.
Источник: Физ. и техн. полупровод. 2, 1998, т.32, стр.159-163
Ключевые слова: равновесие фазовое

Реферат: Исследовано явление самокомпенсации заряженных точечных дефектов в CdTe до предельно низких концентраций свободных носителей заряда (n[i]p[i]) во всем интервале изменения давления паров P[Cd] и P[Te] в равновесии кристалл-газ при отжиге. В условиях контроля P[Te2] при отжиге кристалла обнаружено возрастание концентрации электронов n от 10{7} до 10{14} см{-3}, при увеличении P[Te] от P[min] до насыщения CdTe. Этот результат объяснен образованием антиструктурного дефекта Te[Cd]. Появление Te[Cd] в кристалле приводит к уменьшению содержания вакансий кадмия в нем, что нарушает механизм точной самокомпенсации CdTe и получаются низкоомные кристаллы n-типа электропроводности. Полученные данные о концентрации p(n) от P[Te2] позволили построить полную зависимость n-n[i]-p[i]-n при изменении P[Cd]-P[Te2], отражающую состояние точечных дефектов в CdTe . Использованная методика отжига кристалла в двухфазном равновесии кристалл-газ позволяла обратимо проводить инверсию n[i]-p[i] электропроводности кристалла