( 444) # 22Б2444
Автор(ы): Воронина Т. И., Лагунова Т. С., Михайлова М. П., Моисеев К. Д., Розов А. Е., Яковлев Ю. П.
Оригинальное заглавие: Истощение инверсного электронного канала на гетерогранице II типа в системе p-GaInAsSb/p-InAs
Язык: Рус.
Источник: Физ. и техн. полупровод. 2, 1998, т.32, стр.215-220
Ключевые слова: гетероструктуры

Реферат: Исследованы транспортные свойства одиночных гетероструктур II типа p-GaInAsSb/p-InAs и параметры электронного канала в зависимости от уровня легирования акцепторами четверного эпитаксиального слоя GaInAsSb. Обнаружено резкое падение подвижности в электронном канале на гетерогранице при сильном легировании твердого раствора, что может быть связано с переходом от полуметаллической проводимости к полупроводниковой и обусловлено сужением электронного канала и сильной локализацией электронов в ямах потенциального рельефа на интерфейсе