( 218) # 22Б2218
Автор(ы): Wetzel P., Saintenoy S., Pirri C., Bolmont D., Gewinner G., Roge T. P., Palmino F., Savall C., Labrune J. C.
Заглавие: Изучение 2- и 3-мерного эпитаксиального роста дисилицида Er на Si(111) сканирующей туннельной микроскопией (STM)
Оригинальное заглавие: STM investigation of 2- and 3-dimensional Er disilicide grown epitaxially on Si(111)
Язык: Англ.
Источник: Surface Sci. 1-3, 1996, т.355, стр.13-20
Ключевые слова: кристаллы рост; эпитаксия; эрбий; микроскопия сканирующая туннельная

Реферат: Сканирующей туннельной микроскопией и фотоэмиссией с угловым разрешением исследована поверхностная атомная структура 2- и 3-мерного ErSi[2], эпитаксиально выращенного на Si(111). Установлено образование высоко упорядоченных 2- и 3-мерных островков ErSi[2] на плоских террасах Si(111)7*7. Оба эти силицида завершаются безвакансионным изогнутым бислоем Si. В 3-мерном случае внешние атомы Si характеризуются дополнительно небольшим изгибом с периодичностью РАДИКАЛ(3)*РАДИКАЛ(3) R30°, индуцированной присутствием вакансий в ниже лежащих графитоподобных плоскостям Si