( 249) # 22Б2249
Автор(ы): Oshima T., Yamada A., Konagai M.
Заглавие: Анализ влияния разбавления H[2] на фотохимическое осаждение из паровой фазы тонких пленок Si
Оригинальное заглавие: Analysis of H[2]-dilution effects on photochemical vapor deposition of Si thin films
Язык: Англ.
Источник: Jap. J. Appl. Phys. Pt 1 10, 1997, т.36, стр.6481-6487
Ключевые слова: пленки; кремний; осаждение; водород

Реферат: Тонкие ПЛ Si получали на подложках Si(100) и из активир. Hg кварцевого стекла фотохимич. осаждением из паровой фазы SiH[4]+H[2] при т-ре подложки 160-210°C и мощности облучения 10 или 40 Вт/см{2}. Конц-ию радикала SiH[4] и ат. H в газовой смеси вычисляли теоретически. Результаты вычислений сопоставляли со св-вами ПЛ. Обсуждены роль атомарного H. Структура, кач-во ПЛ и конц-ия H в них, объяснены корреляцией с конц-ией радикалов вблизи ПВ роста. Предполагается, что роль атомарного H на ПВ роста состоит в ограничении оборванных связей ПВ и экстракции радикалов SiH[3] с ПВ роста