( 252) # 22Б2252
Автор(ы): Owen J. H. G., Miki K., Bowler D. R., Goringe C. M., Goldfarb I., Briggs G. A. D.
Заглавие: Рост полупроводников IV группы из газового источника: II. Режимы роста и влияние водорода
Оригинальное заглавие: Gas-source growth of group IV semiconductors: II. Growth regimes and the effect of hydrogen
Язык: Англ.
Источник: Surface Sci. 1-3, 1997, т.394, стр.91-104
Ключевые слова: кристаллы рост; полупроводники; кремний

Реферат: Изучен рост полупроводников IV группы (на примере Si) методом молекулярно-пучковой эпитаксии из газового источника (дисилана), и специальное внимание обращено на роль водорода в этом процессе. Количества и поведение водорода контролировались температурой и потоком SiH[2]. Найдено, что водород не только блокирует диффузию Si, но при насыщении им краев ступенек подложки блокируется рост по механизму потока ступенек, благодаря чему ниже 700 К преобладает рост островков. Таким образом, высокое покрытие водородом полностью блокирует двумерный рост. Выше 700 К адсорбционный барьер на краях ступенек преодолевается, и наблюдается переход от роста островков к росту потоком ступенек