( 280) # 22Б2280ДЕП
Автор(ы): Габрельян Б. В., Лаврентьев А. А., Никифоров И. Я.
Оригинальное заглавие: Исследование электронной структуры твердых растворов на основе халькогенидов кадмия
Язык: Рус.
Ключевые слова: электронное строение; твердые растворы

Реферат: Для исследования электронно-энергетической структуры полупроводниковых соединений CdS, CdSe и их твердых растворов CdS[x]Se[1-x] (x=n/6, n=1, 2, 3, 4, 5) использованы экспериментальные рентгеновские K-спектры S в CdS (получены А. А. Лаврентьевым), рентгеноэлектронный спектр в CdS (L. Ley et al. Phys. Rev. B9, 600 (1974)), а также рассчитанные в настоящей работе рентгеновские K-спектры поглощения Cd, S и Se в CdS и CdSe с помощью программы FEFF7 (S. I. Zabinsky, J. J. Rehr et al. / Phys. Rev..- 1995.- B52.- C. 2995) и рассчитанные плотности электронных состояний в кластерной версии локального когерентного потенциала (ЛКП). Это позволило сравнить результаты, полученные в приближении полного многократного рассеяния, реализованном в ЛКП, и в приближении многократного рассеяния высокого порядка в FEFF7. Во всех расчетах кластеры содержали 99 атомов (9 координационных сфер). Значения параметров решетки для растворов определялись по правилу Вегарда. Рассчитанные по программе FEFF7 спектры в целом хорошо воспроизводят положение и форму основных максимумов экспериментального спектра, но ряд небольших элементов тонкой структуры получить не удалось. В то же время, кривые плотности р-состояний S и Se, рассчитанные в приближении полного многократного рассеяния (ЛКП) лучше соответствуют особенностям экспериментального спектра. В настоящей работе рассмотрено влияние остовной дырки на K-уровне на плотность электронных состояний. Наличие дырки не существенно влияет на форму свободных р-состояний S и Se и приводит лишь к незначительному (0,3 eV) смещению положений характерных пиков в сторону меньших энергий. Для соответствующих твердых растворов рассчитанные кривые плотностей свободных p-состояний S и Se сходны по форме и по положению максимумов, что указывает на значительное смешивание свободных p-состояний S и Se. Используя расчеты полной плотности состояний, удалось подтвердить экспериментальный факт уменьшения ширины запрещенной зоны при возрастании концентрации Se в растворе