( 524) # 22Б2524
Автор(ы): Голикова О. А.
Оригинальное заглавие: Влияние зарядового состояния дефектов на индуцированную светом кинетику фотопроводимости аморфного гидрированного кремния
Язык: Рус.
Источник: Физ. и техн. полупровод. 3, 1998, т.32, стр.345-348
Ключевые слова: дефекты; фотопроводимость; кремний

Реферат: Проведены исследования фотопроводимости и плотности дефектов в пленках нелегированного a-Si:H под воздействием света (W=114 мВт/см{2}, лямбда<0.9 мкм) в течение 5 ч. Показано, что сигма[ph]ЭКВИВt{-гамма} и N[D]ЭКВИВt{бета}, причем гамма>бета или гаммаЭКВИВ=бета в зависимости от положения уровня Ферми до засветки, т. е. в зависимости от зарядового состояния дефектов: D{-} и D{0} или D{+} и D{9}. Показано также, что на индуцированную светом кинетику сигма[ph] влияет переход дефектов в состояние D{0} за счет соответствующего сдвига уровня Ферми при засветке