( 581) # 22Б2581
Автор(ы): Черников В. Н., Захаров А. П.
Заглавие: Газовое распухание в приповерхностных слоях бериллия, имплантированного при различных температурах ионами дейтерия и гелия, до и после отжига
Язык: Рус.
Источник: Поверхность: Рентген., синхротрон. и нейтрон. исслед. 3, 1998, стр.84-100
Ключевые слова: отжиг; бериллий; дейтерий; гелий; поверхностные слои

Реферат: Излагаются результаты исследований бериллия, имплантированного ионами D и He до Ф=4*10{21} ион/м{2} и выше в интервале т-р Т[обл]=(300-700) К и отожженного в интервале Т[отж] до 1100 К. Применялись методы ПЭМ, ВИМС, анализа остаточных газов и ТДС. Выявлены закономерности формирования и эволюции дейтериевой и гелиевой пористости в различных условиях эксперимента и проведено их сравнение. В частности показано, что при Т[обл]=300 К параметры дейтериевых пузырьков близки к параметрам гелиевых пузырьков, тогда как при Т[обл]>=500 К, а также при отжиге наблюдаются различия, что связано с меньшей подвижностью атомов He в Be, более высокой р-римостью D в этом металле, а также разницей в энергиях диссоциации, E{d}, комплексов "газовый атом - вакансия". Значения последних E{d}[DV]ПРИБЛ=1,7 эВ, E[HeV]{d}ПРИБЛ=2,2 эВ. Сделан предварит. вывод о том, что развитие газовой пористости при отжиге имплантированного ионами He ГПУ-Be, подчиняется тем же закономерностям, что и ГЦК-Ni и Cu. При ионном облучении на поверхности Be формируется мелкокристаллич. ПЛ ГПУ-BeO, и есть основания полагать, что она является барьером для термич. вакансий