( 209) # 24Б2209
Автор(ы): Афанасьев А. М., Зайцев А. А., Имамов Р. М., Пашаев Э. М., Чуев М. А.
Оригинальное заглавие: Возможности рентгеновской дифрактометрии в исследовании дельта-легированных слоев на примере гетероструктуры Al[0.27]Ga[0.73]As-In[0.13]Ga[0.87]As/GaAs
Язык: Рус.
Источник: Кристаллография 4, 1998, т.43, стр.677-679
Ключевые слова: кристаллическая структура; галлий арсенид; рентгенография

Реферат: Развитая ранее процедура подгонки на основе метода хи{2} использована для исследования гетерокомпозиции Al[0.27]Ga[0.73]As-In[0.13]Ga[0.87]As/GaAs, содержащей дельта-легированный слой Si. Величина фазового сдвига отраженной волны между соседними слоями, ДЕЛЬТАФИ[j], определяемого произведением толщины дельта-слоя на соответствующую ему величину ДЕЛЬТАa[ПЕРПЕН]/a, оказалась равной 1,0±0,2 рад, т. е. ошибка в его определении составила менее 20%. Наряду с определением средних значений параметров четырех относительно толстых слоев удалось установить наличие в гетероструктуре дельта-слоя Si с толщиной порядка одного монослоя