( 621) # 24Б2621
Автор(ы): Noma T., Sugiura T., Ishii K., Ohki Y., Hama Y.
Заглавие: Структурная стабилизация, индуцированная экспозицией пленок SiO[2], осажденных из [паров] тетраэтоксисилана, в кислородной плазме
Оригинальное заглавие: Structural stabilization induced by oxygen plasma post-exposure of SiO[2] films deposited from tetraethoxysilane
Язык: Англ.
Источник: J. Phys. D 6, 1997, т.30, стр.937-943
Ключевые слова: пленки; кремний диоксид; стабилизация

Реферат: Плазменно-стимулированным химическим осаждением из паров тетраэтоксисилана при низких температурах (200-600°C) синтезированы ПЛ SiO[2], и изучены происходящие в них структурные изменения под действием кислородной плазмы. В результате экспозиции в плазме содержащиеся в ПЛ примеси C и H[2]O удаляются, приводя к исчезновению микропор, к консолидации структуры и стабилизации. Благодаря этому, снижаются водопроницаемость и относительная диэлектрическая проницаемость ПЛ, а край поглощения сдвигается в высокоэнергетическую область. Основным фактором структурной стабилизации ПЛ служит непрямая химическая реакция под действием активных высокоэнергетических частиц кислородной плазмы